Ab Initio Study of Ge Intercalation in Epitaxial Graphene on SiC(0001)

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抄録

We study within a van der Waals density functional theory framework the structural and electronic properties of Ge-intercalated epitaxial graphene on SiC(0001). We argue that the insertion of Ge adatoms at the graphene/SiC interface results in an almost complete detachment of the graphitic layer from the substrate. A stable electron-doped phase is obtained as a result of the pinning of the Fermi level by sp3-type Ge dangling-bond states. Stability is preserved when germanium atoms substitute Si/C atoms of the SiC substrate, while it is compromised when Ge is additionally chemisorbed on the graphene surface. Results are in good agreement with recent experiments.

収録刊行物

  • Applied physics express

    Applied physics express 4(12), 125101-125101-3, 2011-12-25

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  21件中 1-21件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030154199
  • NII書誌ID(NCID)
    AA12295133
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18820778
  • NDL 記事登録ID
    023385735
  • NDL 請求記号
    Z78-A526
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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