AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures Grown on 200 mm Silicon (111) Substrates with High Electron Mobility

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抄録

In this work, we demonstrate, for the first time, Al0.35GaN/GaN/Al0.25GaN double heterostructure field effect transistors on 200 mm Si(111) substrates. Thick crack-free Al0.25GaN buffer layers are achieved by optimizing Al0.75GaN/Al0.5GaN intermediate layers and AlN nucleation layers. The highest buffer breakdown voltage reaches 1380 V on a sample with a total buffer thickness of 4.6 μm. According to Van der Pauw Hall measurements, the electron mobility is 1766 cm2 V-1 s-1 and the electron density is 1.16\times 10^{13} cm-2, which results in a very low sheet resistance of 306\pm 8 \Omega/square.

収録刊行物

  • Applied physics express

    Applied physics express 5(1), 011002-011002-3, 2012-01-25

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  22件中 1-22件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030154463
  • NII書誌ID(NCID)
    AA12295133
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18820778
  • NDL 記事登録ID
    023385851
  • NDL 請求記号
    Z78-A526
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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