Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn

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抄録

We have investigated the growth behavior of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Ge(110) substrates. Many stacking faults are induced in the homoepitaxial Ge layer because of the anisotropic surface reconstruction structure of Ge(110). In contrast, we found that the crystallinity of epitaxial Ge1-xSnx layers can be improved by the incorporation of Sn atoms. This is thought to be due to the change in the reconstruction structure of the Ge(110) surface with Sn. As a result, the growth of a pseudomorphic Ge0.952Sn0.048 layer without any stacking faults has been achieved.

収録刊行物

  • Applied physics express

    Applied physics express 5(1), 015501-015501-3, 2012-01-25

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  18件中 1-18件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030154955
  • NII書誌ID(NCID)
    AA12295133
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18820778
  • NDL 記事登録ID
    023387607
  • NDL 請求記号
    Z78-A526
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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