Electroresistance Effect in Gold Thin Film Induced by Ionic-Liquid-Gated Electric Double Layer

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抄録

Electroresistance effect was detected in a metallic thin film using ionic-liquid-gated electric-double-layer transistors (EDLTs). We observed reversible modulation of the electric resistance of a Au thin film. In this system, we found that an electric double layer works as a nanogap capacitor with 27 (-25) MV cm-1 of electric field by applying only 1.7 V of positive (negative) gate voltage. The experimental results indicate that the ionic-liquid-gated EDLT technique can be used for controlling the surface electronic states on metallic systems.

収録刊行物

  • Applied physics express

    Applied physics express 5(2), 023002-023002-3, 2012-02-25

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  46件中 1-46件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10030155599
  • NII書誌ID(NCID)
    AA12295133
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    18820778
  • NDL 記事登録ID
    023454401
  • NDL 請求記号
    Z78-A526
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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