ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液を用いた銅のエッチングレートに結晶構造が及ぼす影響

• 久保田 賢治

  宇都宮大学大学院工学研究科 三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 新山 貴士

  宇都宮大学大学院工学研究科

• 松本 克才

  八戸工業高等専門学校物質工学科

• 吉原 佐知雄

  宇都宮大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Influence of Crystallographic Structure on Etching Rate of Copper by Using Ammonium Peroxodisulfate Solution
• ペルオキソニ硫酸アンモニウム溶液を用いた銅のエッチングレートに結晶構造が及ぼす影響
• ペルオキソニ リュウサン アンモニウム ヨウエキ オ モチイタ ドウ ノ エッチングレート ニ ケッショウ コウゾウ ガ オヨボス エイキョウ

抄録

1 mol/dm³ペルオキソ二硫酸アンモニウムを用いた銅のエッチングレートに結晶構造が及ぼす影響を，Scanning Probe Microscope（SPM）とElectron Back Scatter Diffraction Patterns（EBSD），腐食電位測定により解析した。低指数面である(001)面や(101)面，(111)面のエッチングレートは低く，高指数面である(327)面や(425)面のエッチングレートは高いことが明らかになった。多結晶体の銅においても低指数面に優先配向している銅のエッチングレートは，高指数面に配向している銅のエッチングレートに比べて低く，約半分であった。また，エッチングレートが高い多結晶体の銅は貴な腐食電位を示した。多結晶体の銅のエッチングレートは，それぞれの結晶表面におけるペルオキソ二硫酸イオンの還元反応速度の平均値によって決定されていることが示唆された。

収録刊行物

• エレクトロニクス実装学会誌

  エレクトロニクス実装学会誌 15 (3), 197-204, 2012

  一般社団法人エレクトロニクス実装学会

キーワード

• Etching
• Copper
• Ammonium Peroxodisulfate Solution
• Orientation
• EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns)

詳細情報

• CRID: 1390001204560794240
• NII論文ID: 10030319139
• NII書誌ID: AA11231565
• DOI: 10.5104/jiep.15.197
• COI: 1:CAS:528:DC%2BC38XhtFWju73M
• ISSN: 1884121X
• ISSN: 13439677
• NDL書誌ID: 023771318
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023771318
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep/15/3/15_197/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可