Ｃｏフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製

• 高橋 有紀子

  物質・材料研究機構

• 葛西 伸哉

  物質・材料研究機構

• 古林 孝夫

  物質・材料研究機構

• 三谷 誠司

  物質・材料研究機構

• 猪俣 浩一郎

  物質・材料研究機構

• 宝野 和博

  物質・材料研究機構

書誌事項

タイトル別名

• Fabrication of a Spin-filter Device with Co Ferrite
• Co フェライト オ モチイタ スピンフィルタ ソシ ノ サクセイ

抄録

  A magnetic tunnel junction (MTJ) spin-filter device of Pt/Co ferrite/MgO/Co demonstrated -19.8 % tunnel magnetoresistance (TMR) and 27.5% spin-filter efficiency at 10 K. By increasing the bias voltage, the TMR at 10 K first increased and then decreased, exhibiting a maximum at 0.17 V. This anomalous dependence of TMR on bias was interpreted as tunneling via the spin-down conduction band in the Co ferrite. At room temperature (RT), the tunneling mechanism was thought to originate from hopping in the defect states due to structural and chemical defects in the Co ferrite. To achieve higher spin-filter effect at RT, it is important to reduce the defects in the Co ferrite barrier.

収録刊行物

• Journal of the Magnetics Society of Japan

  Journal of the Magnetics Society of Japan 34 (2), 96-99, 2010

  公益社団法人 日本磁気学会

キーワード

• spin-filter device
• ferromagnetic insulator
• Co ferrite
• tunneling magnetoresistance
• bias voltage dependence

詳細情報

• CRID: 1390001205286139904
• NII論文ID: 130000168425
• NII論文ID: 10030479976
• NII書誌ID: AA12297999
• DOI: 10.3379/msjmag.1002r0003
• ISSN: 18822932
• ISSN: 18822924
• NDL書誌ID: 10609935
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10609935
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可