タングステン加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるレジスト用ベースポリマーの分解除去

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タイトル別名
  • Decomposition Removal of the Polymers for Resist Material by the Hydrogen Radical Generated Using Tungsten Hot-Wire Catalyzer
  • タングステン加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるレジスト用ベースポリマー
  • タングステン カネツ ショクバイタイ ニ ヨリ セイセイ シタ スイソ ラジカル ニ ヨル レジストヨウ ベースポリマー

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抄録

Hot-wire法により生成した強い還元力を有する水素ラジカルを用い，レジスト用ベースポリマーの除去を検討した．水素ラジカルは，2400℃に加熱したタングステン触媒体により水素分子を分解することにより生成した．水素ラジカルによるポリマーの除去では，主鎖架橋型，またはベンゼン環を有するポリマーの除去速度が遅かった．主鎖架橋型のポリマーは，主鎖の分解と伴に架橋も進行し，ポリマーが低分子化合物に分解されにくいためである．また，ベンゼン環をもつポリマーは，ベンゼン環の共鳴安定化により反応が進行しにくいためである．逆に，主鎖崩壊型であり，かつベンゼン環をもたないポリマーは除去速度が速いことが判明した．また，除去速度はポリマーの分子量に依存しなかった．水素ラジカルのアタックサイトである膜表面のモノマーユニットの濃度は，分子量が異なっても同じであるためと考えられる．

収録刊行物

  • 高分子論文集

    高分子論文集 69 (6), 266-273, 2012

    公益社団法人 高分子学会

被引用文献 (3)*注記

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