SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析

• 村松 徹

• 葛西 誠也

• 谷田部 然治

Bibliographic Information

Other Title

• SiN ゼツエン ゲート GaAs エッチングナノワイヤ FET ニ オケル テイシュウハ ザツオン トクセイ ノ ヒョウカ ト カイセキ
• Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (425), 89-93, 2012-02

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• ナノワイヤFET
• GaAs
• 絶縁ゲート
• 低周波雑音
• 時定数
• 分布関数
• Nanowire FET
• Insulator gate
• Low-frequency noise
• Time constant
• Distribution function

Details

• CRID: 1520009409424722304
• NII Article ID: 10031105029
• NII Article ID: 110009482046
• NII Article ID: 110009481865
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 023494198
• NDL BIB ID: 023493836
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023494198
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023493836
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN