引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解

• 金 相賢

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 田岡 紀之

  東京大学電気系工学専攻

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 安田 哲二

  産業総合研究所

• 山田 永

  東京大学電気系工学専攻

• 福原 昇

  東京大学電気系工学専攻

• 秦雅 彦

  東京大学電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学電気系工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (422), 17-20, 2012-01-20

キーワード

• InGaAs MOSFETs
• MOS interface buffer
• Strain
• Transport mechanism

詳細情報

• CRID: 1574231875902766720
• NII論文ID: 10031112541
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles