SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析

• 村松 徹

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (426), 89-93, 2012-01-31

キーワード

• ナノワイヤFET
• GaAs
• 絶縁ゲート
• 低周波雑音
• 時定数
• 分布関数

詳細情報

• CRID: 1573668925948875136
• NII論文ID: 10031112851
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles