SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析  [in Japanese] Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs  [in Japanese]

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Author(s)

    • 村松 徹 MURAMATSU Toru
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 葛西 誠也 KASAI Seiya
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 谷田部 然治 YATABE Zenji
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

Journal

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(426), 89-93, 2012-01-31

References:  14

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10031112851
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP 
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