書誌事項
- タイトル別名
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- Strain evaluation in advanced LSI by high-spatial resolution Raman spectroscopy
- コウブンカイノウ ラマン ブンコウ ソクテイ ニ ヨル サイセンタン LSI ノ ヒズミ ヒョウカ
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抄録
<p>最先端Large-Scale Integrated-circuit(LSI)では,チャネルひずみを故意に導入することで電気特性の改善を得るひずみ技術が大きな成果を収めている.また,パワーデバイス,イメージングデバイスなどでもひずみの制御は重要である.ひずみ評価に求められるのは,非破壊,簡便,高い空間分解能,高スループットなどで,ラマン分光法はこれらの要求を高い水準で満たしている.これまで我々は,UV励起光を用いた最表面ひずみの評価,ひずみ評価に特化した高ひずみ感度装置の開発などを行ってきた.本稿ではさらに,先端LSIデバイスのチャネルひずみ評価を目的としたラマン測定の高空間分解能化,複雑なひずみ場の評価,および微細領域からの信号増強の取り組みについて述べる.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 82 (4), 317-321, 2013-04-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390564227312465408
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- NII論文ID
- 10031159922
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 024582075
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可