微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出

• 吹留 博一

  東北大学電気通信研究所

• 小嗣 真人

  高輝度光科学研究センター

• 川合 祐輔

  東北大学大学院工学研究科

• 井出 隆之

  東北大学電気通信研究所

• 大河内 拓雄

  高輝度光科学研究センター

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• Emergence of Pseudoelectromagnetic Field in Epitaxial Graphene on Microfabricated Substrate
• ビサイ カコウ キバン エ ノ グラフェン ノ エピ セイチョウ ニ ヨル ギデンジジョウ ノ ソウシュツ

抄録

Graphene is the promising material for the next-generation devices owing to its novel electronic property which is governed by “slow” relativistic quantum theory. The theory tells that pseudospin responds to pseudoelectromagnetic field emerged by strain. In this paper, we have studied the pseudoscalar potential in epitaxial graphene grown on microfabricated SiC substrates (μ-EG). It is clarified by low-energy electron microscopy and Raman spectroscopy that pseudoscalar potential emerges in μ-EG due to interfacial strain, and is controlled by the microfabrication pattern.

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 34 (7), 380-384, 2013

  公益社団法人 日本表面科学会

キーワード

• Pseudospin
• pseudoelectromagnetic field
• strain
• graphene
• SiC

詳細情報

• CRID: 1390282681435255680
• NII論文ID: 10031184986
• NII書誌ID: AN00334149
• DOI: 10.1380/jsssj.34.380
• ISSN: 18814743
• ISSN: 03885321
• NDL書誌ID: 024760718
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024760718
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可