飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Studies of solid phase epitaxy of Si layers on Si(001)by TOF-LEIS

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282681143407872
  • NII論文ID
    110001985841
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyoj.1996.2.0_587_2
  • ISSN
    24331171
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ