14pXG-12 シリコン表面上に形成したトレンチ構造の側壁におけるステップの挙動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

• 須藤 孝一

  阪大産研

• 岩崎 裕

  阪大産研

• 栗林 均

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 蛭田 玲子

  富士電機アドバンストテクノロジー

• 清水 了典

  富士電機アドバンストテクノロジー

書誌事項

タイトル別名

• 14pXG-12 Behavior of steps on Si trench sidewall surfaces

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 59.2.4 (0), 822-, 2004

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001206000182912
• NII論文ID: 110002050488
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.59.2.4.0_822_2
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles