22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果 [in Japanese] The bottleneck effect for exciton relaxation in InAs-QD/GaInP [in Japanese]

- 西周慶久 Saishu Y.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 関口洋義 Sekiguchi H.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 南不二雄 Minami F.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 吉野淳二 Yoshino J.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 天内英貴 Amnai H.
- 三菱化学オプト技開セ Mitsubishi Chemical Co. Opto-Electronics R and TD
- 長尾哲 Nagao S.
- 三菱化学オプト技開セ Mitsubishi Chemical Co. Opto-Electronics R and TD
- 榊裕之 Sakaki H.
- 東大生研 Univ of Tokyo IIS

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Author(s)

- 西周慶久 Saishu Y.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 関口洋義 Sekiguchi H.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 南不二雄 Minami F.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 吉野淳二 Yoshino J.
- 東工大院理工 Tokyo Institute of Technology
- 天内英貴 Amnai H.
- 三菱化学オプト技開セ Mitsubishi Chemical Co. Opto-Electronics R and TD
- 長尾哲 Nagao S.
- 三菱化学オプト技開セ Mitsubishi Chemical Co. Opto-Electronics R and TD
- 榊裕之 Sakaki H.
- 東大生研 Univ of Tokyo IIS

Journal

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 58.2.4(0), 663, 2003

The Physical Society of Japan

Codes

NII Article ID (NAID)
110002063175
Text Lang
JPN
DOI
10.11316/jpsgaiyo.58.2.4.0_663_1
Data Source

NII-ELS J-STAGE