31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性

• 片山 光浩

  理研

• 中山 知信

  理研

• C.F McConville

  Warwick大

• 青野 正和

  理研

書誌事項

タイトル別名

• How is the Growth of Ge on Si(001) Dependent on Coverage of Surfactant?

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集. 年会

  日本物理学会講演概要集. 年会 50.2 (0), 571-, 1995

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282681168545792
• NII論文ID: 110002138960
• DOI: 10.11316/jpsgaiyog.50.2.0_571_1
• ISSN: 24331112
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles