27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_<60>およびC_<70>FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)

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タイトル別名
  • 27aZP-5 Fabrication and properties of C_<60> and C_<70> FET devices with ferroelectric and polymer gate insulators

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205997213440
  • NII論文ID
    110002192750
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.59.1.3.0_523_4
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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