28pXE-9 Bi2212の擬ギャップ構造のドープ量依存性 : 角度分解光電子分光(高温超伝導(光電子およびトンネル分光))(領域8)

• 横谷 尚睦

  東大物性研

• 馬場 輝久

  東大物性研

• 安藤 博徳

  東大物性研

• 津田 俊輔

  東大物性研

• 木須 孝幸

  東大物性研

• Chainani A.

  理研

• 辛 埴

  東大物性研:理研

• 茂筑 高士

  物材機構

• 中根 茂行

  物材機構

• 平田 和人

  物材機構

書誌事項

タイトル別名

• 28pXE-9 Doping-dependent pseudogap structure of Bi2212 : An ARPES study

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 59.1.3 (0), 596-, 2004

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205998466816
• NII論文ID: 110002194157
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.59.1.3.0_596_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles