27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_<60>およびC_<70>FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)

• 桑原 英治

  岡山大院自然

• 春山 祐介

  岡山大院自然:CREST

• 久保園 芳博

  岡山大院自然:CREST

書誌事項

タイトル別名

• 27aZP-5 Fabrication and properties of C_<60> and C_<70> FET devices with ferroelectric and polymer gate insulators

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 59.1.4 (0), 827-, 2004

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205997330816
• NII論文ID: 110002198418
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.59.1.4.0_827_4
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles