30p-G-10 Si(001)表面上のGeのサーファクタント媒介エピタキシー : CAICISSによるリアルタイム観察・制御

• 片山 光浩

  理研

• 中山 知信

  理研

• McConville C.F.

  Warwick大

• 青野 正和

  理研 : 新技団青野プロジェクト

書誌事項

タイトル別名

• 30p-G-10 Surfactant Meditated Epitaxial Growth of Ge on Si(001) as Moniter & Controlled by CAICISS

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集. 年会

  日本物理学会講演概要集. 年会 48.2 (0), 450-, 1993

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282681166776448
• NII論文ID: 110002216282
• DOI: 10.11316/jpsgaiyog.48.2.0_450_1
• ISSN: 24331112
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles