リチウムイオンを注入したMgIn₂O₄薄膜の高いキャリア電子生成

• 菊地 直人

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 植田 尚之

  分子科学研究所

• 細野 秀雄

  東京工業大学応用セラミックス研究所 分子科学研究所

• 川副 博司

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 田上 尚男

  電子技術総合研究所

書誌事項

タイトル別名

• High Efficiency-Carrier-Generation in Li⁺-Implanted MgIn₂O₄ Thin Films
• High Efficiency Carrier Generation in L

抄録

Optically transparent MgIn₂O₄ thin films were prepared on SiO₂ glass substrates by a radio-frequency sputtering method. Direct current conductivity of the as-sputtered film was lower than 10^-9S·cm^-1. Lithium ions were implanted to the films at room temperature to a total fluence of 2×10¹⁵cm^-2. Carrier electrons were generated by the implantation. Conductivity of the as-implanted film was 8×10^-2S·cm^-1 and the carrier-generation-efficiency was -2%. By the post-annealing at 300°C, the efficiency drastically increased to -80% and the conductivity increased to 3S·cm^-1. These results indicate that the inactive Li⁺ ions in the asimplanted films are incorporated into the electrically active lattice sites during the post-annealing.

収録刊行物

• Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌)

  Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌) 105 (1219), 275-277, 1997

  公益社団法人 日本セラミックス協会

キーワード

• Transparent conductive oxide
• MgIn₂O₄ spinel
• rf sputtering
• Ion implantation
• Carrier generation efficiency
• Post-annealing

詳細情報

• CRID: 1390282680254688256
• NII論文ID: 110002289148
• NII書誌ID: AN10040326
• DOI: 10.2109/jcersj.105.275
• ISSN: 18821022
• ISSN: 09145400
• NDL書誌ID: 4160871
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4160871
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jcersj1988/105/1219/105_1219_275/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可