SiC焼結体の熱起電力に及ぼすアルミニウム添加の効果

• 岡野 一雄

  小山職業訓練短期大学校電子技術科

• 藤沼 賢二

  小山職業訓練短期大学校電子技術科

• 丸岡 一俊

  小山職業訓練短期大学校電子技術科

書誌事項

タイトル別名

• Effect of Aluminum Doping on Thermoelectric Power of Sintered SiC
• SiC ショウケツタイ ノ ネツ キデンリョク ニ オヨボス アルミニウム テ

抄録

The effects of aluminum doping on the thermoelectric power of sintered SiC were investigated. SiC added up to 0.6wt% aluminum was fired in the temperature range of 1900°-2050°C. The thermoelectric power was measured at 100°C in vacuum with a temperature difference of 10K across the specimen. The thermoelectric power increased with increasing aluminum addition and the firing temperature. Non-aluminum SiC fired at 1900°C had the lowest thermoelectric power at 2μV/K. On the other hand, SiC added 0.6wt% aluminum and fired at 2050°C had the highest thermoelectric power at 60μV/K.

収録刊行物

• Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌)

  Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌) 99 (1147), 244-247, 1991

  公益社団法人 日本セラミックス協会

キーワード

• SiC ceramic
• Thermoelectric power
• Aluminum content
• Sintering temperature
• Grain diameter

詳細情報

• CRID: 1390001205276562432
• NII論文ID: 110002291009
• NII書誌ID: AN10040326
• DOI: 10.2109/jcersj.99.244
• ISSN: 18821022
• ISSN: 09145400
• ISSN: http://id.crossref.org/issn/09145400
• NDL書誌ID: 3705678
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3705678
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jcersj1988/99/1147/99_1147_244/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可