シリコン半導体上におけるビスマス系層状構造強誘導体のリキツドソースを用いたケミカルアプローチ

  • 加藤 一実
    産業技術総合研究所セラミックス研究部門 東京工業大学
  • 鈴木 一行
    産業技術総合研究所セラミックス研究部門
  • 符 徳勝
    産業技術総合研究所セラミックス研究部門
  • 西澤 かおり
    産業技術総合研究所セラミックス研究部門
  • 三木 健
    産業技術総合研究所セラミックス研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Special Issue Ceramics Integration. Integration of Ferroelectric Ca2Bi4Ti5O18 Thin Films on Pt-Passivated Si via Spin-Coating Technique.
  • Integration of Ferroelectric Ca2Bi4Ti5O18 Thin Films on Pt-Passivated Si via Spin-Coating Technique

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抄録

Ca2Bi4Ti5O18 (CBTi245) thin films were deposited by spin-coating a precursor solution of metal alkoxides on Pt-passivated Si substrates. Thickness of the as-deposited amorphous layer affected the nucleation site, microstructure and electrical properties. The onset of crystallization of thin films to a pyrochlore phase was below 550°C via rapid thermal annealing in oxygen. A perovskite phase developed by further annealing at temperatures of 650°C or higher. The CBTi245 thin films which were prepared by multi-coating and multicrystallizing of the 20 nm-thick amorphous layer showed random orientation, a columnar-like structure, and P-E hysteresis loops.

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参考文献 (10)*注記

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