パルス供給エピタキシ法を用いたGaAsの選択成長 : 無機結晶II

• アレグレッティ フェデリカ

  東大・工・電子

• 角田 浩司

  東大・工・電子

• 西永 頌

  東大・工・電子

書誌事項

タイトル別名

• Selective Area Growth of GaAs by Periodic Supply Epitaxy

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 22 (3), 191-, 1995

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680840753536
• NII論文ID: 110002714471
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.22.3_191
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles