フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III

• 神野 真吾

  名大院工

• 茜 俊彦

  科学技術振興事業団

• 平田 智也

  名大院工

• 久野 尚志

  名大院工

• 羊 億

  名大VBL

• 磯貝 佳孝

  名大院工

• 渡邊 直樹

  名大院工

• 藤原 康文

  名大院工:科学技術振興事業団

• 中村 新男

  名大院工:科学技術振興事業団

• 竹田 美和

  名大院工:科学技術振興事業団

書誌事項

タイトル別名

• Morphology dependence of ErP on crystallographic orientation of InP Substrate grown on InP by face-down OMVPE

抄録

ErP/InP heterostructure is one of the candidates for realizing new functional high-speed magneto-electronic devices. We have investigated growth morphology of ErP on InP (001) and (111)A. ErP/InP heterostructures were grown by face-down OMVPE. ErP formed islands on each orientation, while island size and height were quite different between two orientations.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 29 (2), 36-, 2002

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205896837120
• NII論文ID: 110002715563
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.29.2_36
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可