OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 藤原 康文

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Fabrication and optical properties of Er,O-codoped GaAs/GaInP double-heterostructure light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy

抄録

We have fabricated Er,O-codoped GaAs/GanP double-heterostructure(DH) light-emitting diodes(LEDs) grown by organometallic vapor phase epitaxy and investigated their optical properties. Under forward bias, the LEDs exhibited radiant Er-related electroluminescence(EL) at around 1.54μm at room temperature. The spectrum was identical to the photoluminescence(PL) spectrum due to an Er-O center. This indicates that the Er-2O center is excited effectively by current injection.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 29 (2), 37-, 2002

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205896835584
• NII論文ID: 110002715564
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.29.2_37
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可