液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication and room-temperature electroluminescence of InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy
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抄録
We have successfully obtained InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy and observed room-temperature electroluminescence (EL) due to the InAs dots. Formation of InAs quantum dots has been investigated as a function of TMIn supply time for formation of In droplets.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 29 (2), 38-, 2002
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205896840576
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- NII論文ID
- 110002715565
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可