液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III

DOI
  • 李 祐植
    名古屋大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 大賀 涼
    名古屋大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 藤原 康文
    名古屋大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 竹田 美和
    名古屋大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication and room-temperature electroluminescence of InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy

この論文をさがす

抄録

We have successfully obtained InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy and observed room-temperature electroluminescence (EL) due to the InAs dots. Formation of InAs quantum dots has been investigated as a function of TMIn supply time for formation of In droplets.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205896840576
  • NII論文ID
    110002715565
  • NII書誌ID
    AN00188386
  • DOI
    10.19009/jjacg.29.2_38
  • ISSN
    21878366
    03856275
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ