有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
書誌事項
- タイトル別名
-
- Doping concentration dependence of In composition in GaInP grown on GaAs by organometallic vapor phase epitaxy
この論文をさがす
抄録
We have grown n-type GaInP layers on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy using H_2S as a dopant source. We have found a decrease in the GaInP lattice constant with an increasing H_2S supply. The lattice constant of GaInP varied from 5.7009 to 5.6318Å for the H_2S supply from 0 to 1.786μmol/min. The In composition depends greatly on the H_2S supply.
収録刊行物
-
- 日本結晶成長学会誌
-
日本結晶成長学会誌 29 (2), 39-, 2002
日本結晶成長学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282680873549568
-
- NII論文ID
- 110002715566
-
- NII書誌ID
- AN00188386
-
- ISSN
- 21878366
- 03856275
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可