有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III

DOI
  • 吉兼 豪勇
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 井上 堅太郎
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 小泉 淳
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 浦上 昇
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 藤原 康文
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 竹田 美和
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Doping concentration dependence of In composition in GaInP grown on GaAs by organometallic vapor phase epitaxy

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抄録

We have grown n-type GaInP layers on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy using H_2S as a dopant source. We have found a decrease in the GaInP lattice constant with an increasing H_2S supply. The lattice constant of GaInP varied from 5.7009 to 5.6318Å for the H_2S supply from 0 to 1.786μmol/min. The In composition depends greatly on the H_2S supply.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680873549568
  • NII論文ID
    110002715566
  • NII書誌ID
    AN00188386
  • DOI
    10.19009/jjacg.29.2_39
  • ISSN
    21878366
    03856275
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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