Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム(窒化物半導体結晶)

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 川村 史朗

  阪大院・工

• 吉村 政志

  阪大院・工

• 森 勇介

  阪大院・工

• 佐々木 孝友

  阪大院・工

書誌事項

タイトル別名

• The growth mechanism of GaN single crystals in Na flux system

抄録

We determined the GaN solubility curve and examined the critical pressure to synthesize GaN in Na-Ga melt. Nitrogen solubility in Na-Ga melt was estimated by examination of these results. It was revealed that the amount of nitrogen in the Na-Ga solution system was 100 thousand times to that in Ga melt. Therefore, addition of Na to metal-Ga decreased the required pressure to grow GaN crystals compared with that in Ga melt.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 30 (3), 100-, 2003

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205896341632
• NII論文ID: 110002715933
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.30.3_100
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可