反応性スパッタリング法によるε‐，η‐Ｍｎ窒素化合物薄膜の作製とその磁気的・電気的特性

• 森尾 和正

  東海大学大学院工学研究科

• 小泉 義晴

  東海大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Magnetic and Electrical Properties of .EPSILON.- and .ETA.-Mn Nitride Thin Films Formed by the Reactive Sputtering Method.
• 反応性スパッタリング法によるε-,η-Mn窒素化合物薄膜の作製とその磁気的・電気的特性
• ハンノウセイ スパッタリングホウ ニ ヨル イプシロン イータ Mn チッソ カゴウブツ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ ジキテキ デンキテキ トクセイ

抄録

Polycrystalline thin films with an oriented direction of ε-Mn₄N along the (111) axis and η-Mn₃N₂ along the (113) axis were prepared as a single phase by the RF reactive magnetron sputtering method on glass substrates. It was clarified by XPS spectral analysis that nitrogen atoms in Mn-N compounds act as donor atoms in terms of the electrical/magnetic properties of the films. The ε-Mn₄N film was a single-phase perovskite-type crystal with lattice parameter 0.385 nm, and this film had the properties of ferrimagnetism, with 1.1 μ_B per unit cell, and of a metallic film, with electrical conductivity of 1.6×10⁴ Ω^-1m^-1. The η-Mn₃N₂ film was face center tetragonal (a = 0.420 nm, c = 0.413 nm) and had the properties of antiferromagnetism, with 1.4 μ_B per unit cell, and of a semiconductor flm, with electrical conductivity of 4.2×10³ Ω^-1m^-1.

収録刊行物

• 日本応用磁気学会誌

  日本応用磁気学会誌 27 (4), 344-347, 2003

  公益社団法人 日本磁気学会

キーワード

• ε-Mn₄N thin film
• η-Mn₃N₂ thin film

詳細情報

• CRID: 1390001205090871168
• NII論文ID: 110002809563
• NII書誌ID: AN0031390X
• DOI: 10.3379/jmsjmag.27.344
• ISSN: 18804004
• ISSN: 02850192
• NDL書誌ID: 6506056
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6506056
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10466174
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可