ＭｎＳｂグラニュラー構造における室温超巨大磁気抵抗効果

• 秋永 広幸

  アトムテクノロジ一研究体：融合研

• 水口 将輝

  アトムテクノロジ一研究体：融合研

• 小野 寛大

  東京大学大学院工学系研究科

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

書誌事項

タイトル別名

• Room-Temperature Extra-huge Magnetoresistance Effect in MnSb Granular Films.
• MnSb グラニュラー コウゾウ ニ オケル シツオン チョウキョダイ ジキ テイコウ コウカ

抄録

A huge positive magnetoresistance effect in a relatively low magnetic field (less than 0.5 T) at room temperature was discovered in MnSb granular films. A granular film consisting of nano-scale MnSb clusters was grown on a sulfur-passivated GaAs(001) substrate by molecular beam epitaxy, then covered with an Sb thin layer. The granular film shows magnetic-field-sensitive current-voltage characteristics. When a constant voltage, above the threshold value, is applied to the film, a more than 1000 percent change in the current, which we term a magnetoresistive switch, is driven by the magnetoresistance effect. A possible mechanism for the magnetoresistive switch effect is discussed.

収録刊行物

• 日本応用磁気学会誌

  日本応用磁気学会誌 24 (4-2), 451-454, 2000

  公益社団法人 日本磁気学会

キーワード

• magnetoresistance effect
• granular film
• MnSb
• molecular beam epitaxy
• sulfur passivation
• GaAs

詳細情報

• CRID: 1390001205091046656
• NII論文ID: 110002810706
• NII書誌ID: AN0031390X
• DOI: 10.3379/jmsjmag.24.451
• ISSN: 18804004
• ISSN: 02850192
• NDL書誌ID: 5349119
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5349119
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464945
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可