MnSb：GaAsグラニュラー薄膜の室温光誘起巨大磁気抵抗効果

• 水口 将輝

  アトムテクノロジー研究体−産業技術融合領域研究所 東京大学大学院工学系研究科

• 秋永 広幸

  アトムテクノロジー研究体−産業技術融合領域研究所

• 小野 寛大

  東京大学大学院工学系研究科

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

書誌事項

タイトル別名

• Room-Temperature Photo-induced MR in MnSb : GaAs Granular Thin Films
• MnSb GaAs グラニュラー ハクマク ノ シツオン ヒカリ ユウキ キョダイ ジキ テイコウ コウカ

抄録

Nano-size MnSb clusters with a nominal thickness of 3 ML were grown on GaAs(111)B substrates by molecular beam epitaxy. The films were capped with GaAs, and the magnetoresistance effect was investigated at room temperature. A large positive magnetoresistance effect of over 50% was observed. The dependency on the sweep rate of magnetic field and an effect of Cr-doping in GaAs capping layers were investigated. The photoinduced MR effect was also observed under laser-irradiation with a photon energy above the band gap of GaAs. It is shown that these phenomena can be attributed to the enhancement of the conductivity by photogenerated carriers.

収録刊行物

• 日本応用磁気学会誌

  日本応用磁気学会誌 25 (4_1), 502-506, 2001

  公益社団法人 日本磁気学会

キーワード

• granular thin film
• magnetoresistance
• photo-conductivity
• molecular beam epitaxy
• MnSb

詳細情報

• CRID: 1390001205092495360
• NII論文ID: 110002810996
• NII論文ID: 130004478740
• NII書誌ID: AN0031390X
• DOI: 10.3379/jmsjmag.25.502
• ISSN: 18804004
• ISSN: 02850192
• NDL書誌ID: 5732073
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5732073
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jmsjmag/25/4_1/25_4_1_502/_pdf
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10465383
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可