有限要素法を用いたフラックスガイド型半導体磁気抵抗素子の解析

• 高山 裕樹

  茨城大学工学部

• 小峰 啓史

  茨城大学工学部

• 杉田 龍二

  茨城大学工学部

• 村野井 徹夫

  茨城大学工学部

• 長谷川 靖洋

  埼玉大学大学院理工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Analysis of a Nonmagnetic Semiconductor in a Magnetoresistive Sensor with Flux-guide-type using Finite Element Method
• ユウゲン ヨウソホウ オ モチイタ フラックスガイドガタ ハンドウタイ ジキ テイコウ ソシ ノ カイセキ

抄録

We investigate the magnetoresistance of a magnetoresistive element consisting of a nonmagnetic semiconductor, four electrodes, and a metallic shunt, with varying locations of the voltage electrodes. The optimum location of the voltage electrodes is estimated from MR ratios calculated by using the finite element method. The MR ratio of 6.9%, which was obtained at an applied magnetic field of 0.005 T for an MR element with asymmetrical voltage electrodes separated by a distance of 25 nm, is higher than that for the MR element with symmetrical electrodes. In order to improve the MR ratio at a low applied field, a flux-guide-type MR element is proposed in this study. An MR ratio of 124% at an applied field of 0.005 T was obtained for a flux-guide-type element with asymmetrical electrodes.

収録刊行物

• 日本応用磁気学会誌

  日本応用磁気学会誌 29 (3), 278-281, 2005

  公益社団法人 日本磁気学会

キーワード

• magnetoresistive sensor
• semiconductor
• flux-guide-type

詳細情報

• CRID: 1390282680067922944
• NII論文ID: 110002811784
• NII書誌ID: AN0031390X
• DOI: 10.3379/jmsjmag.29.278
• ISSN: 18804004
• ISSN: 02850192
• NDL書誌ID: 7261936
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7261936
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7261936
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10466967
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可