二次イオン質量分析法を用いた窒化ケイ素-金属接合界面の分析

• 志智 雄之

  日産自動車(株)中央研究所

• 松清 健二

  日産自動車(株)中央研究所

• 松長 正治

  日産自動車(株)中央研究所

書誌事項

タイトル別名

• SIMS analysis of joining interface between silicon nitride and metal.
• 二次イオン質量分析法を用いた窒化ケイ素‐金属接合界面の分析
• 2ジ イオン シツリョウ ブンセキホウ オ モチイタ チッカ ケイソ キンゾク

抄録

Joining interfaces between silicon nitride (Si₃N₄) and metal were analyzed by SIMS. The depth profile and 3-dimensional analyses of the joining interfaces were carried out using selected specific ions. Analytical conditions were as follows : primary ion, O⁺₂, 12 kV, 500 nA ; sweep area, 0.01mm² ; and acquiring area, 100μm². As the specific ion of titanium silicide (Ti₅Si₃), m/z=76 was chosen. Analytical results comfirmed the previous results by X-ray photoelectron spectroscopy and AEM that the joning interface of Si₃N₄-metal with active metal and brazing metals consisted of two layers. A small quantity of silver was detected in the reaction layer.

収録刊行物

• 分析化学

  分析化学 38 (10), 505-509, 1989

  公益社団法人 日本分析化学会

キーワード

• SIMS analysis, joining interface
• depth profile analysis
• 3-dimensional analysis

詳細情報

• CRID: 1390001204356565888
• NII論文ID: 110002909872
• NII書誌ID: AN00222633
• DOI: 10.2116/bunsekikagaku.38.10_505
• NDL書誌ID: 3258813
• ISSN: 05251931
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3258813
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/bunsekikagaku1952/38/10/38_10_505/_pdf
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10892212
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可