マイクロストリップライン構造可変機能液晶デバイスの誘電特性  [in Japanese] Dielectric Properties of Microstrip-Line Adaptive Liquid Crystals Devices  [in Japanese]

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Abstract

マイクロ波・ミリ波帯における液晶の誘電率を, この周波数帯で可変遅延線等の多くのアダプティブデバイスの開発が進められているマイクロストリップライン構造で, 誘導結合型リング共振器を用いて直接測定した. 液晶層を誘電体基板としたリング共振器の共振周波数の実測値と電磁界シミュレーションの値を照合することにより, 液晶分子の長袖方向が高周波電界に平行であるときの比誘電率ε_<//>と垂直であるときの比誘電率ε'⊥, 及び誘電異方性△ε'を決定する測定法を示した. マイグストリップライン構造では, 液晶の粘性やマイクロストリップライン構進にもよるが, 液晶分子の配向を印加直流電界により完全には制御できない. そのためε_<//>が液晶材料そのものの誘電率より小さな値になる. 本論文ではその原因について考察しマイクロストリ7プ直下とそれ以外の領域の静電エネルギーの計算と液晶分子配向の不完全さを示す観察写真により実効配向係数恥の物理的意味を明確にした. 液晶を用いた7イクロストリップライン構造のデバイスでは, ε_<//>の実効的な値は材料自身の誘電率にη_αを掛けた値で回路設計を行うべきことを示した.

Journal

  • The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers C

    The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers C 87(1), 39-48, 2004-01-01

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  15

Cited by:  4

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003172189
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AA11412446
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    Journal Article
  • ISSN
    13452827
  • NDL Article ID
    6809680
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-607
  • Data Source
    CJP  CJPref  NDL  NII-ELS 
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