選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製

• 黒岩 洋佑

• 本田 善央

• 山口 雅史

書誌事項

タイトル別名

• センタク セイチョウホウ ニ ヨル 111 Si キバン ジョウ エ ノ クラック フリー GaN ケッショウ ノ サクセイ
• 結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等)--小特集:3族窒化物研究の最前線
• ケッショウ セイチョウ ヒョウカ ギジュツ オヨビ デバイス カゴウブツ Si SiGe デンシ ザイリョウ タイヨウ デンチ コウタイアツ ソシ トウ ショウトクシュウ 3ゾク チッカブツ ケンキュウ ノ サイゼンセン

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102 (78), 15-19, 2002-05-23

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• (111)Si
• MOVPE
• 選択成長
• 光電流
• Si substrate
• selectivegrowth
• photocurrent

詳細情報

• CRID: 1520290883338489856
• NII論文ID: 110003202182
• NII論文ID: 110003174890
• NII論文ID: 110003310994
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6188035
• NDL書誌ID: 6188311
• NDL書誌ID: 6188133
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6188035
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6188311
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6188133
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles