誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ法によるCo-Cr薄膜の作製 : 基板バイアスによって制御したイオン照射の効果

• 山本 節夫

  山口大学工学部 機能材料工学科

• 林 利彦

  山口大学工学部 機能材料工学科

• 栗巣 普揮

  山口大学工学部 機能材料工学科

• 松浦 満

  山口大学工学部 機能材料工学科

書誌事項

タイトル別名

• Preparation of Co-Cr Films Using Magnetron Sputtering Assisted by Inductively-Coupled-Plasma : Effects of ion bombardment controlled by substrate bias voltage

抄録

誘導結合型プラズマ生成法とマグネトロンスパッタ法を組み合わせたスパッタ装置を試作して、Co-Cr垂直磁気異方性薄膜の作製を行った。このスパッタ装置は、プラズマ生成、スパッリングおよび成膜がほぼ独立しているために、従来の2極スパック法よりもプラズマ状態や成膜中の基板へのイオン照射を柔軟に制御できるという特徴をもつ。基板に加えるバイアス電圧を-50Vから+10OVの範囲で変化させてイオン照射を変化させた実験によって、イオン照射が極めて少ない状況下では高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性が発現しないことがわかった。さらに、電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマを用いたスパック成膜法による実験結果と総合したところ、高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性のCo-Cr薄膜を得るには、イオン照射によるエネルギーの最適なアシス卜量があることが明らかになった。
A novel sputtering apparatus using a magnetron sputtering cathode and inductively-coupled-plasma (ICP) generation was built to use in Co-Cr film deposition. In this sputtering apparatus, flexible control of plasma characteristics and ion bombardment is possible. In this study, the plasma bombardment was changed by applying substrate bias voltage in the range of -50 to +100V. When the plasma assist is, small, the deposited Co-Cr film showed low perpendicular coercivity and small perpendicular magnetic anisotropy. From this result and the same kind of experimental results obtained using sputtering using electron-cyclotron- resonance (ECR) microwave plasma, we may conclude that the Co-Cr films with high perpendicular coercivity and large perpendicular magnetic anisotropy are obtained when a moderate ion bombardment was supplied during film deposition.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録

  電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 97 (384), 13-17, 1997-11-20

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 誘導結合型プラズマ
• スパッタ成膜法
• イオン照射
• Co-Cr膜
• 垂直磁気記録

詳細情報

• CRID: 1571980077313801984
• NII論文ID: 110003186114
• NII書誌ID: AN10013050
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles