MgOおよびBMT基板の複素誘電率の低温特性のマイクロ波測定  [in Japanese] Microwave measurements of Low-Temperature dependences of complex permittivity of MgO and BMT substrates  [in Japanese]

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Abstract

本研究では、空洞共振器法により、高温超電導薄膜用MgO単結晶基板およびBa(Mg, L, Sb)O_3セラミック基板についてそれらの複素誘電率(比誘電率ε_s, 誘電正接tanδ_s)の低温測定結果を提供する。常温測定では、14〜16GHzにおけるMgO基板のε_s=9.85で測定精度は約0.2%、tanδ_s=7.8×10^<-6>で測定精度は約6.4%である。さらに、100K以下では14GHz付近でε_s=9.6〜9.7、tanδ_s<1.0×10^<-6>である。同一ロットの基板ではε_sとtanδ_sのばらつきが小さく、その他の基板ではばらつきが大きい。したがって、マイクロストリップ形フィルタなどの設計を行う際は、その都度、複素誘電率の測定をする必要がある。100K以下における6枚のBMT基板の測定結果は、ε_s=24.0〜24.4、tanδ_s=(1〜10)×10^<-6>でばらついている。

This paper presents measured results of low-temperature dependence of the complex permittivity (ε_s, tanδ_s) of MgO and Ba (Mg, Ta, Sb) O_3 ceramic substrates for High-T_c superconductibe thin films by using a circular cavity resonance method. At the room-temperture, the results of MgO substrates measured at 14〜16GHz are ε_s=9.85 within the precision 0.2% and tanδ_s=7.8×10^<-6> within the precision 6.4%. Moreover, the measured results below 100K about 14GHz are ε_s=9.6〜9.7 and tanδ_s<1.0×10^<-6>. Many MgO substrates in a lot have almost the same values of ε_s and tanδ_s, but the plates in the different lot have different ε_s and tanδ_s. When we design the microstrip filters, it is necessary to measure the complex permittivity for each substrate. The results of BMT substrates measured below 100K are scattered between ε_s=24.0〜24.4 and tanδ_s=(1〜10)×10^<-6>.

Journal

  • Technical report of IEICE. SCE

    Technical report of IEICE. SCE 99(28), 27-32, 1999-04-23

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  8

Cited by:  9

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003187557
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012885
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    Journal Article
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    4730987
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  CJPref  NDL  NII-ELS 
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