10-80Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用

• 尾辻 泰一

  NTT LSI研究所

• 永妻 忠夫

  NTT LSI研究所

• 加藤 和利

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 矢板 信

  NTT LSI研究所

書誌事項

タイトル別名

• 10- to 80-Gb/s Optoelectronic Pulse-Pattern Generation and its Application to Ultrahigh-Speed Electronic Device Testing

抄録

超高速電子デバイスの大信号パルス応答評価の実現を目的として、光電気融合型パルスパターン発生器、及び光電気変換プローブを開発した.パルスパターン発生では,電気光学位相変調と分散補償による短光パルス発生法をベースとして、新たにバンド幅可変光フィルタを導入し、10-80Gb/sにわたって20dB以上の高い消光比を実現した.光電気変換プローブでは広帯域,高効率導波路型pinPDの搭載とともに,電気伝送路ヘの同軸構造の導入により、帯域55 GHz,効率0.75 A/Wに加え,群遅延歪1 ps以下の低分散化を達成した.開発したパルスパターン発生/印加システムを超広帯域HEMT分布型増幅器ICの評価に適用し、100Gb/s級の大信号パルスパターン応答特性評価ツールとしての有効性を確認した.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波

  電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 96 (136), 25-30, 1996-06-26

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 電気光学効果
• 位相変調
• 群速度分散
• 周波数チャープ
• パルス
• フォトダイオード
• プローブ

詳細情報

• CRID: 1572543027267585536
• NII論文ID: 110003189431
• NII書誌ID: AN10013185
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles