携帯端末基地局用100W出力HFET

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 藤井 憲一

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 鈴木 敏

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 坂本 進

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 藤岡 孝司

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 谷野 憲之

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

書誌事項

タイトル別名

• A 100W AlGaAs/GaAs Hetero-structure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications

抄録

携帯端末基地局向けに高出力、高効率かつ低歪特性を有する100W出力AlGaAs/GaAs HFET(Hetero-structure FET)を開発した。今回開発した素子はチップコストの低減のため, チップサイズの小型化を行った。単位ゲートフィンガー長の長尺化(800μm)により, 25W出力1チップFETとしては最小のサイズ(1.4×2.6mm^2)を実現した。本チップをパッケージ内で4合成し, 100W出力のFETとして最小のパッケージサイズ(17.4×24.9mm^2)と高効率(24%), 低歪特性(IMD3:-35dBc)を実現した。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波

  電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 98 (522), 23-27, 1999-01-22

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 高出力FET
• HFET
• 基地局
• 低歪
• マイクロ波

詳細情報

• CRID: 1571417127360280064
• NII論文ID: 110003189806
• NII書誌ID: AN10013185
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles