TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価

• 伊藤 隆

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 川本 武司

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 藤原 康文

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Growth of Er-doped GaP by OMVPE with TBP and characterization

抄録

有機V族原料であるターシャリブチルフォスフィン(tertiarybutylphosphine: TBP)を用いた有機金属気相エピタキシャル(organometallic vapor phase epitaxial: OMVPE)法によりEr添加GaPを成長し、成長条件が試料の諸特性に及ぼす影響について系統的に調べた。2次イオン質量分析(secondary ion mass spectroscopy: SIMS)測定の結果から、試料中のEr濃度はEr原料供給量により制御可能であることがわかった。4.2Kフォトルミネッセンス(Photoluminescence: PL)測定において、1.54μm帯でErの4f殻内遷移に起因する鋭い発光線(半値幅0.2meV-0.3meV)が多数観測され、発光線の相対強度は成長条件に強く依存した。このことは複数の異なるEr発光中心が試料中に共存することを示唆している。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料

  電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 97 (306), 1-6, 1997-10-08

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 希土類添加半導体
• Er
• GaP
• OMVPE
• TBP

詳細情報

• CRID: 1573950402119766016
• NII論文ID: 110003198914
• NII書誌ID: AN10012932
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles