ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製

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タイトル別名
  • Fabrication of Two-Dimensional InP Photonic Band-Gap Crystals by Reactive Ion Etching with Inductively Coupled Plasma

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抄録

誘導結合プラズマ(ICP)を用いた反応性イオンエッチングにより、InP 2次元フォトニック結晶を作製し、フーリエ変換赤外分光測定法の1種である高感度反射測定法(FTIR-RAS)により、光領域における反射率特性を調べた。試料の作製に先だって、フォトニックバンドギャップを理論計算により求めた。作製にあたり、SiO_2をマスク材としたりソグラフィーによりInP基板上にパターンを作製し、SiCl_4/Arをエッチングガスとして、6回対称の円形空洞を作製した。その際、N_2Oを微量に添加することで、InPのエッチングレートが僅かに上昇し、かつ垂直性が向上することが明らかになった。また、InPのエッチングレートとSiO_2に対する選択比はSiCl_4流量に強く依存することが分かった。試料の評価はFTIR-RAS法で行い、光領域において、開口径に依存した特徴的なスペクトルが観測された。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1574231877096478848
  • NII論文ID
    110003198918
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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