S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製

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タイトル別名
  • Preparation of Ba-Ferrite Thin Films by Post-annealing of The Film Deposited by Means of Alternate S Layer and R Layer Deposition Method

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抄録

本研究では、熱酸化シリコン基板上及びZnO下地層上にFe_3O_4層(S層)とBaO・3Fe_2O_3層(R層)を種々の基板温度で交互積層した後、空気中で熱処理を行い、Baフェライト薄膜を得ることを試みた。その結果、成膜時の基板温度やZnO下地層の有無により熱処理後のBaフェライト薄膜の配向性や磁気特性は大きく変化し、(1)低温で作製した膜ほど、低い熱処理温度でもBaMの結晶化が起こること、(2)基板温度200℃で作製した膜を熱処理するとc軸配向膜が得られること、(3)熱酸化シリコン基板上に直接積層した薄膜の方がZnO下地層上に積層した薄膜に比べBaM結晶子が成長し易い傾向が認められることが明らかとなった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261552259701760
  • NII論文ID
    110003199043
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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