圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測  [in Japanese] Observation of Semiconductor Bonded Films on Piezoelectric substrates by X-Ray diffraction  [in Japanese]

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Abstract

本報告では、エピタキシャルリフトオフ(Epitaxial Lift-Off;ELO)フィルムボンディングにより、圧電体/半導体結合素子の作製のためのプロセス技術についての検討結果について示す。圧電基板と貼り合わせた半導体薄膜の接合力を高めるために、様々な加熱処理を施し、X線回折およびX線トポグラフにより、加熱処理による薄膜の受ける応力について評価し、面内の応力分布を明らかにした。実験結果から、一様な応力分布を得るために、水の排出機構や低温加熱が効果的であることが分かった。

Surface acoustic wave (SAW)-semiconductor coupled devices are attractive for realization of high performance and new functional devices. In this paper, we show a process technology for fabrication of SAW-semiconductor coupled device. Especially, we examined a stress of bonded semiconductor films, which were heated to obtain strong bonding strength between a semiconductor films and piezoelectric substrate, by X-ray diffraction method. We clarified the stress distribution of GaAs bonded films.

Journal

  • IEICE technical report. Component parts and materials

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(170), 19-24, 2001-06-29

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003199663
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012932
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    5870633
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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