非接触原子間力顕微鏡による化合物半導体の原子分解能観察
書誌事項
- タイトル別名
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- Atomic-scale imaging of compound semiconductors with a noncontact atomic force microscope
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抄録
最近, 周波数変調(FM)検出法と組み合わせた非接触の超高真空原子間力顕微鏡(UHV-AFM)の開発により, 化合物半導体の原子レベルの点欠陥のAFM観察が, 我々のグループにより初めて実現された. また, 点欠陥の移動の観察や深さの異なる点欠陥の観察, さらには, 非接触状態の引力領域だけでなく接触状態の斥力領域でも原子分解能測定が実現している. ここではSi半導体の観察や点電荷の静電気力観察も含めた最新の測定結果について発表する.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 97 (159), 7-14, 1997-07-15
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1573387452167201024
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- NII論文ID
- 110003199841
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- NII書誌ID
- AN10012954
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles