Si表面における周期的密度汎関数計算

• Stirling Andras

  東北大学工学部

• 遠藤 明

  東北大学工学部

• 山内 亮

  東北大学工学部

• 久保 百司

  東北大学工学部

• 宮本 明

  東北大学工学部

• 大見 忠弘

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Periodic density functional calculations on Si surface

抄録

部分的に、あるいは完全に水素またはフッ素原子で終端されたSi(100)表面について周期的境界条件を考慮した密度汎関数計算が行われた。構造や電子的な性質が実験結果と比較された。異なる表面の性質と比較したところ、終端水素原子に対し、水素やフッ素で終端された表面におけるフッ素原子との相互作用に起因する重要な化学的変化が示された。これらの結果が、可能であると考えられる化学反応に置き換えて考察された。
Periodic density functional calculations have been carried out on H-, F-, and partially H and F-terminated Si (100) surfaces. Structural and electronic properties are calculated and presented along with comparison with available experimental data. Comparison of the properties of the different surfaces indicates important chemical changes for the terminating hydrogen atoms due to interactions with the terminating fluorine atoms on the mixed surface. The results are discussed in terms of possible chemical reactions.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 96 (18), 83-90, 1996-04-25

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 周期的密度汎関数法
• シリコン表面
• 水素あるいはフッ素終端

詳細情報

• CRID: 1571698602310632192
• NII論文ID: 110003200031
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles