OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 河村 大輔

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 土屋 順次

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学工学部材料機能工学科

書誌事項

タイトル別名

• Atom configuration around Er atoms doped in InP grown by OMVPE : analysis by Fluorescence EXAFS

抄録

OMVPE(organometallic vapor phase epitaxy)法によりInP中に添加したEr原子周辺構造と発光特性との関連を解明することを目的として蛍光EXAFS(extended X-ray absorption fine structure)測定を行い、Er原子周辺構造の解析を行った。PL測定では、Erを均一添加したInPは成長温度550℃以下の時に発光効率が高く、580℃以上では発光効率が低くなる。これに対し、EXAFS解析の結果、成長温度550℃以下の試料ではErはInを置換し、成長温度580℃以上の試料ではrockslalt構造のErPを形成していることが分かった。また、Erをδ添加したInPについては、成長温度とEr原料供給時間の変化により、添加されたEr原子はErPまたはcubic bixbyite構造のEr_2O_3を形成することが確認された。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 96 (292), 89-96, 1996-10-11

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 希土類添加半導体
• Er
• InP
• OMVPE法
• EXAFS
• 局所構造

詳細情報

• CRID: 1571980077287347840
• NII論文ID: 110003200048
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles