蛍光EXAFS法によるInP中に均一ドープしたEr原子周囲の局所構造解析

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タイトル別名
  • Fluorescence EXAFS study of atomic configuration around Er atoms homogeneously doped in InP

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抄録

OMVPE法によりEr均一添加したInPのEr^<3+>が関与するPLスペクトルの形状は強い成長温度依存性を示す。このことはErが複数の発光下しを形成していること、すなわち、安定なEr原子周辺構造が複数存在することを示唆している。Er原子周辺構造の解明を目的として蛍光EXAFS (extended X-ray absorption fine structure)測定および周辺構造を仮定したEXAFSの理論計算を行った。その結果、成長温度580℃、Er濃度8*10^<18>cm^<-3>の試料ではEr原子の最近接原子はPであり、大多数のErはErP微結晶を形成していることがわかった。

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参考文献 (11)*注記

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571980077286345088
  • NII論文ID
    110003200177
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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