ErをδドーピングしたInPのX線CTR散乱法による界面構造解析

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タイトル別名
  • Hetero-structure analysis of Er δ-doped InP using X-ray CTR scattering

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抄録

半導体中に添加された希土類イオンからの発光を利用するためOMVPE法を用いてIII-V族化合物半導体に希土類を添加する研究が行われている。本研究室でもErをInPに添加する研究を行ってきた。今後この発光をデバイスに利用す引こは発光効率を更に増大することが必要である。これにはErを井戸層に添加した薄膜多層構造が有用である。この構造では閉じ込められたキャリアがEr^<3+>に供給され発光効率の増加が期待できるが、その実現にはヘテロ層への選択添加技術の発展及び、界面での結晶性や急峻性を評価することが非常に重要になる。本研究ではErをδドーピングしたInPを取り上げ放射光を用いたCTR (crystal truncation rod)散乱の測定によりヘテロ層の評価を行った。これにより、Er原子はNaCl構造のErPとして存在していることがけかった。また、試料深さ方向に1原子層の精度でEr原子の組成分布が得られた。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927146601984
  • NII論文ID
    110003200178
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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